特許
J-GLOBAL ID：200903001755149154

薄膜トランジスタを有する半導体装置

発明者：
前川 繁登

前川 繁登 について

, 
一法師 隆志

一法師 隆志 について

, 
岩松 俊明

岩松 俊明 について


出願人/特許権者：
株式会社ルネサステクノロジ

株式会社ルネサステクノロジ について


代理人 (6件)： 深見 久郎 ,  森田 俊雄 ,  仲村 義平 ,  堀井 豊 ,  野田 久登 ,  酒井 將行
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-257509
公開番号（公開出願番号）：特開2005-020022
出願日： 2004年09月03日
公開日（公表日）： 2005年01月20日
要約：
【課題】 オフ電流を低減させるとともに、しきい値電圧の上昇を防止することができる薄膜トランジスタを有する半導体装置を提供する。【解決手段】 半導体層71は、チャネル領域を規定するように互いに距離を隔てた1対のソース/ドレイン領域を有している。ゲート電極層7は、半導体層71のチャネル領域にゲート絶縁層を介在して対向している。ゲート電極層7は半導体層の下に形成されている。窒素濃度分布がゲート電極層7とゲート絶縁層5との境界において濃度ピークを有するように、かつゲート電極層7内においてはゲート絶縁層5に接する部分において最も高い濃度を有するように、ゲート電極層7のチャネル領域と対向する側の表面とゲート絶縁層5とには窒素が導入されている。【選択図】 図42
請求項（抜粋）：
表面を有し、かつチャネル領域を規定するように互いに距離を隔てた1対のソース/ドレイン領域を有する半導体層と、 前記半導体層の前記チャネル領域にゲート絶縁層を介在して対向するゲート電極層とを備え、 前記ゲート電極層は前記半導体層の下に形成されており、 前記1対のソース/ドレイン領域と前記ゲート電極層とは薄膜トランジスタを構成しており、 窒素濃度分布が前記ゲート電極層と前記ゲート絶縁層との境界において濃度ピークを有するように、かつ前記ゲート電極層内においては前記ゲート絶縁層に接する部分において最も高い濃度を有するように、前記ゲート電極層の前記チャネル領域と対向する側の表面と前記ゲート絶縁層とには窒素が導入されている、薄膜トランジスタを有する半導体装置。
IPC (9件)：
H01L29/786 ,  H01L21/28 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/088 ,  H01L27/092 ,  H01L29/417 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49
FI (7件)：
H01L29/78 617T ,  H01L21/28 301A ,  H01L29/78 617M ,  H01L27/08 321A ,  H01L27/08 102A ,  H01L29/50 M ,  H01L29/58 G
Fターム (90件)：
4M104AA01 ,  4M104AA08 ,  4M104AA09 ,  4M104BB01 ,  4M104BB39 ,  4M104BB40 ,  4M104CC01 ,  4M104CC05 ,  4M104DD37 ,  4M104DD43 ,  4M104DD55 ,  4M104DD56 ,  4M104DD63 ,  4M104DD79 ,  4M104EE03 ,  4M104EE14 ,  4M104FF01 ,  4M104FF13 ,  4M104FF14 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104GG14 ,  5F048AA07 ,  5F048AC01 ,  5F048AC04 ,  5F048BA16 ,  5F048BB01 ,  5F048BB02 ,  5F048BB05 ,  5F048BB06 ,  5F048BB07 ,  5F048BB14 ,  5F048BC01 ,  5F048BC02 ,  5F048BC06 ,  5F048BC16 ,  5F048BD02 ,  5F048BD06 ,  5F048DA23 ,  5F110AA06 ,  5F110BB04 ,  5F110CC02 ,  5F110CC03 ,  5F110CC07 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110EE02 ,  5F110EE04 ,  5F110EE05 ,  5F110EE09 ,  5F110EE14 ,  5F110EE22 ,  5F110EE30 ,  5F110EE44 ,  5F110EE45 ,  5F110EE48 ,  5F110EE50 ,  5F110FF02 ,  5F110FF04 ,  5F110FF23 ,  5F110FF26 ,  5F110FF29 ,  5F110FF32 ,  5F110FF36 ,  5F110FF40 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG22 ,  5F110GG23 ,  5F110GG25 ,  5F110GG30 ,  5F110GG32 ,  5F110GG33 ,  5F110GG34 ,  5F110GG44 ,  5F110GG52 ,  5F110GG58 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ13 ,  5F110HK09 ,  5F110HK14 ,  5F110HK34 ,  5F110HM02 ,  5F110HM04 ,  5F110HM12 ,  5F110HM14 ,  5F110HM15 ,  5F110QQ01 ,  5F110QQ11 ,  5F110QQ26
引用特許：
審査官引用 (3件)

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