特許
J-GLOBAL ID：200903066415727379

半導体装置およびその製造方法

発明者：
須田 核太郎

須田 核太郎 について


出願人/特許権者：
三菱電機株式会社

三菱電機株式会社 について


代理人 (1件)： 葛野 信一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-146342
公開番号（公開出願番号）：特開平9-330990
出願日： 1996年06月07日
公開日（公表日）： 1997年12月22日
要約：
【要約】【課題】 同一半導体基板上にバイボーラトランジスタとMOSトランジスタとを備えた半導体装置において、ゲート酸化膜の膜質の劣化とその寿命の低下を防止した半導体装置とその製造方法を得る。【解決手段】 MOSトランジスタのゲート電極を、下層シリコン膜と上層シリコン膜で形成し、N型不純物としてのヒ素に加えて窒素を導入し、かつ窒素を下層シリコン膜とゲート酸化膜の界面付近に偏析させる。エミッタ電極は、上層シリコン膜と同一の膜で形成するが、窒素は導入しない。
請求項（抜粋）：
同一半導体基板上にバイポーラトランジスタとMOSトランジスタとを備え、前記MOSトランジスタは、ゲート酸化膜と、このゲート酸化膜に接しこのゲート酸化膜との界面近傍に窒素が偏析した第1のゲート電極層とこの第1のゲート電極層に積層された第2のゲート電極層よりなるゲート電極を有し、前記バイボーラトランジスタは、前記MOSトランジスタの前記第2のゲート電極層と同じ膜厚で窒素を含有しないエミッタ電極を有することを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 21/8249 ,  H01L 27/06 ,  H01L 21/8222
FI (2件)：
H01L 27/06 321 A ,  H01L 27/06 101 U
引用特許：
審査官引用 (20件)
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