特許

J-GLOBAL ID：200903001759186992

III族窒化物半導体結晶体の形成方法およびそれを含む半導体素子

発明者： 島岡 五朗 ,  宇田川 隆
出願人/特許権者： 昭和電工株式会社
代理人 (1件)： 志賀 正武 (外9名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-133990
公開番号（公開出願番号）：特開平11-330551
出願日： 1998年05月15日
公開日（公表日）： 1999年11月30日
要約：

【要約】【課題】 煩雑な成膜操作を行うことなく、簡便にIII族窒化物半導体結晶からなる微結晶体を選択的に形成する方法を提供する。【解決手段】 III-V族化合物半導体結晶に化学量論的にIII族元素側が富裕となる手段でIII族構成元素を主成分とする液滴を形成する工程と、液滴に窒素原子含有物質を浸透、溶解させる工程をもってIII族窒化物半導体結晶体を形成する。

請求項（抜粋）：

III-V族化合物半導体結晶を加熱して該III-V族化合物半導体結晶中の第V族構成元素を揮散させ、第III族構成元素を主成分とする液滴を該III-V族化合物半導体結晶の表面に部分的に形成する第1の工程と、形成した前記液滴に含窒素物質を浸透させて前記液滴をIII族窒化物半導体結晶に変換する第2の工程を備えてなり、第III族構成元素を主成分とする液滴からIII族窒化物半導体の結晶体を形成することを特徴とするIII族窒化物半導体結晶体の形成方法。

IPC (3件)：

H01L 33/00 ,  H01L 21/20 ,  H01L 29/20

FI (3件)：

H01L 33/00 C ,  H01L 21/20 ,  H01L 29/20

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 窒素化合物結晶の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-235721   出願人：助川徳三