半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：京本直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-265693
公開番号（公開出願番号）：特開平8-125008
出願日： 1994年10月28日
公開日（公表日）： 1996年05月17日
要約：

【要約】【目的】段差のない平坦なトレンチ分離領域を均一な膜質の絶縁膜を埋めて作製する。【構成】選択的にトレンチ2A,2Bの底部に平坦な酸化シリコン膜3を形成する。次でこの酸化シリコン膜3の表面から選択的に液相成長法によるSiO2 膜を成長させてトレンチ2A,2Bを埋める。

請求項（抜粋）：

半導体基板の表面に素子分離用のトレンチを形成する工程と、このトレンチの底面に平坦な酸化シリコン膜を形成する工程と、この酸化シリコン膜上に絶縁膜を選択成長させ前記トレンチを埋める工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/76 , H01L 21/316

引用特許：

審査官引用 (1件)

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