特許
J-GLOBAL ID:200903001780614678

レーザー照射装置

発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平7-021011
公開番号(公開出願番号):特開平8-195357
出願日: 1995年01月13日
公開日(公表日): 1996年07月30日
要約:
【要約】【目的】 レーザー光の照射に従う効果、例えばレーザー光の照射に従う半導体へのアニール効果を均一なものとする。【構成】 エキシマレーザーの照射エネルギーを測定し、常に一定のエネルギーで照射が行われるように調整する。光学系4から出て、ミラー9で反射されたレーザー光は試料11に照射される。この際、ミラー9の直後にビームプロファイラーを配置し、照射されるレーザー光のエネルギーを計測する。そして、この計測値を基にミラー8と光学系4との間に配置されたエネルギー減衰装置を作動させ、試料11に照射されるエネルギーを一定なものとなるように調整する。
請求項(抜粋):
エキシマレーザーにエネルギー測定装置をつけたことを特徴とするレーザー照射装置。
IPC (2件):
H01L 21/268 ,  H01S 3/00
引用特許:
審査官引用 (12件)
  • レーザアニール装置
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平3-287436   出願人:日新電機株式会社
  • 特開昭57-180120
  • 特開平2-119128
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