特許

J-GLOBAL ID：200903001796038022

微細パターン形成方法及び半導体装置の製造方法

発明者： 浅原 浩和
出願人/特許権者： 株式会社半導体先端テクノロジーズ
代理人 (2件)： 日向寺 雅彦 ,  松山 允之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-000347
公開番号（公開出願番号）：特開2005-197349
出願日： 2004年01月05日
公開日（公表日）： 2005年07月21日
要約：

【課題】 真空紫外線によるキュア効果を利用してエッチングなどの各種の耐性を改善し、変形や「倒れ」などを抑制できる疎なパターンを形成可能とした微細パターン形成方法及びこの微細パターン形成方法を用いた半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】 基板の上に下地膜を形成する工程と、前記下地膜の上に、第1のレジストパターンを形成する工程と、前記第1のレジストパターンに真空紫外線を照射する工程と、前記下地膜の上に、第2のレジストパターンを形成する工程と、前記第1及び第2のレジストパターンをマスクとして前記下地膜をエッチングする工程と、前記第1及び第2のレジストパターンを除去する工程と、を備えたことを特徴とする微細パターン形成方法を提供する。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

基板の上に下地膜を形成する工程と、 前記下地膜の上に、第1のレジストパターンを形成する工程と、 前記第1のレジストパターンに真空紫外線を照射する工程と、 前記下地膜の上に、第2のレジストパターンを形成する工程と、 前記第1及び第2のレジストパターンをマスクとして前記下地膜をエッチングする工程と、 前記第1及び第2のレジストパターンを除去する工程と、 を備えたことを特徴とする微細パターン形成方法。

IPC (4件)：

H01L21/027 ,  G03F7/26 ,  G03F7/40 ,  H01L21/3065

FI (6件)：

H01L21/30 573 ,  G03F7/26 511 ,  G03F7/40 511 ,  G03F7/40 521 ,  H01L21/30 570 ,  H01L21/302 105A

Fターム (17件)：

2H096AA25 ,  2H096BA09 ,  2H096HA03 ,  2H096HA05 ,  2H096HA07 ,  2H096JA04 ,  2H096KA03 ,  2H096KA06 ,  5F004AA04 ,  5F004BB02 ,  5F004EA03 ,  5F004EA04 ,  5F046LA18 ,  5F046NA01 ,  5F046NA08 ,  5F046NA12 ,  5F046NA15

引用特許：

出願人引用 (1件)

• パターン形成方法および半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-122862   出願人：株式会社東芝