特許
J-GLOBAL ID：200903001809548440
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
伊丹 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-083120
公開番号（公開出願番号）：特開平8-255757
出願日： 1995年03月15日
公開日（公表日）： 1996年10月01日
要約：
【要約】【目的】 複数層の膜形成を行う場合に、半導体ウェハを押さえるクランプの形状を工夫して、各層の膜の性質を簡単且つ正確に計測することを可能とした半導体装置の製造方法を提供する。【構成】 マルチチャンバ式スパッタ装置を用いて一枚の半導体ウェハに多層膜形成を行う際に、各チャンバ毎に異なる形状のウェハクランプ21a〜21dを用いる。ウェハクランプ21a〜21dはそれぞれ、ウェハのオリエンテーションフラット近傍を保持する遮蔽部22を有し、且つそれぞれ遮蔽部22の異なる位置に切り欠き部23a〜23dが形成されている。連続膜形成を行うと、半導体ウェハの中には切り欠き部23a〜23dに対応して各膜形成工程での単層膜領域が得られ、これらの単層膜領域で各工程の膜の性質を測定する。
請求項（抜粋）：
半導体ウェハ表面の一部を覆う遮蔽部を有するウェハクランプを用いて複数層の膜形成を行う工程を有する半導体装置の製造方法において、前記複数層の膜形成工程毎に、それぞれ遮蔽部の中の異なる位置に切り欠き部を有するウェハクランプを用いることを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (4件)：
H01L 21/203
, C23C 14/56
, H01L 21/205
, H01L 21/68
H01L 21/203 Z
, C23C 14/56 F
, H01L 21/205
, H01L 21/68 N
