全反射螢光X線分析方法及び装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：京本直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-047933
公開番号（公開出願番号）：特開平11-248653
出願日： 1998年02月27日
公開日（公表日）： 1999年09月17日
要約：

【要約】【課題】単結晶基板からの回折X線によって励起されるSSD窓のBe膜中不純物のバックグランドを正確に補正することで、基板上の極微量不純物量を正確に定量する。【解決手段】低角度で単結晶基板に入射させた入射X線の入射方位および単結晶基板の基板方位から単結晶基板表面における入射X線の回折角を求め、次いで、求めた回折角から半導体検出器のBe窓中の散乱回折X線のパスの長さを計算し、あらかじめ求めた係数を用いてパスの長さと散乱回折線強度の大きさからバックグランド強度を求め、最後に、測定により得られたスペクトルからバックグランド強度を差し引いて測定データを補正し、この補正してデータから不純物の種類と濃度を決定する。

請求項（抜粋）：

X線を全反射する角度で単結晶基板に入射し、前記単結晶基板からの螢光X線を検出して前記単結晶基板表面の不純物元素の種類と濃度を定量する全反射螢光X線分析方法において、前記単結晶基板表面で入射X線が散乱・回折して発生した散乱回折X線の回折角を求める第1の工程と、前記第1の工程で求めた前記回折角からX線検出器のBe窓中の前記散乱回折X線のパスの長さを求め、前記パスの長さからBe窓中に存在する不純物の特性X線強度を計算して求め、求めた特性X線強度をバックグランド強度とする第2の工程と、前記単結晶基板からの螢光X線を検出して得られたスペクトルから前記第2の工程で得られたバックグランド強度を差し引いてスペクトル強度を補正する第3の工程とを有することを特徴とする全反射蛍光X線分析方法。

引用特許：

審査官引用 (2件)

蛍光X線分析方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-199283 出願人：理学電機工業株式会社
元素分析方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-325655 出願人：株式会社東芝

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