半導体記憶装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：伊丹勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-147108
公開番号（公開出願番号）：特開平7-334996
出願日： 1994年06月06日
公開日（公表日）： 1995年12月22日
要約：

【要約】【目的】高速性能と耐ノイズ性向上を図ったROMを提供する。【構成】メモリアレイ101はデータがマスクプログラムされる。アドレスバッファ104は、クロック同期によりアドレスデータを時分割で取り込む2系統のアドレスラッチ111a,111bとそのラッチデータを選択して出力するセレクタ112により構成される。データセンス回路105は、クロック同期によりデータセンスとラッチを時分割で行う2系統のセンスアンプ113a,113bと、そのラッチデータを選択して出力するセレクタ114により構成される。クロック生成回路107は、これらのアドレスバッファ104及びデータセンス回路105に時分割動作を行わせるための同期クロック信号を生成する。

請求項（抜粋）：

データが不揮発に記憶されるメモリアレイと、このメモリアレイのデータを選択するアドレスを取り込むクロック同期式のアドレスバッファと、前記メモリアレイの選択されたデータを読み出すクロック同期式のデータセンス回路と、前記アドレスバッファ及びデータセンス回路内をそれぞれ時分割動作させるための同期クロックを生成するクロック生成回路とを有することを特徴とする半導体記憶装置。

引用特許：

審査官引用 (4件)

特開平1-043894
特開昭61-187197
特開平4-243085

全件表示

前のページに戻る