特許
J-GLOBAL ID:200903016052694859

半導体記憶装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 山本 秀策
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平5-137928
公開番号(公開出願番号):特開平6-349292
出願日: 1993年06月08日
公開日(公表日): 1994年12月22日
要約:
【要約】【構成】 各データ線DL0〜DLnにそれぞれ第1センスアンプ回路1SA0〜1SAnを接続すると共に、これら各データ線DL0〜DLnにトランジスタQPA0〜QPAnを介して1個の第2センスアンプ回路2SAに接続し、これら第2センスアンプ回路2SAと第1センスアンプ回路1SA0〜1SAnの出力をトランジスタQPB-1,QPB0〜QPBnを介して出力バッファ回路OBに接続する。また、各データ線DL0〜DLnにそれぞれ第1センスアンプ回路1SA0〜1SAnを接続し、これらの第1センスアンプ回路1SA0〜1SAnS1の出力をスイッチ回路SW0〜SWnを介して1個の第2センスアンプ回路2SAに接続する。【効果】 従来と同様のランダムアクセスや高速読み出しモードを実現しながら、多数設けられたセンスアンプ回路の回路構成を簡略化することができるので、これらのセンスアンプ回路が占有するチップ面積を全体として縮小すると共に、消費電力の低減をも図ることができるようになる。
請求項(抜粋):
第1のアドレス信号に基づいて、多数のメモリセルから同時に複数のメモリセルを選択し、選択された該複数のメモリセルに記憶されたデータを複数のデータ線にそれぞれ読み出す半導体記憶装置であって、該複数のデータ線の各々に1つずつ接続され、該複数のデータ線のうち対応するデータ線上のデータを各々増幅して出力する複数の第1センスアンプ回路と、該複数のデータ線に接続され、第2のアドレス信号に基づいて、該複数のデータ線のうちのいずれか1本のデータ線上のデータのみを選択的に出力するデータ選択手段と、該データ選択手段によって選択的に出力された該データを、該複数の第1センスアンプ回路の増幅速度よりも高速で増幅して出力する第2センスアンプ回路と、を備えている半導体記憶装置。
IPC (3件):
G11C 17/18 ,  G11C 11/413 ,  G11C 16/06
FI (3件):
G11C 17/00 306 A ,  G11C 11/34 J ,  G11C 17/00 309 B
引用特許:
審査官引用 (3件)
  • 特開平1-279498
  • 半導体記憶装置
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平3-161859   出願人:シヤープ株式会社
  • 特開昭63-197099

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