特許

J-GLOBAL ID：200903001877757589

基板処理装置

発明者： 小菅 一生
出願人/特許権者： アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 長谷川 芳樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-124314
公開番号（公開出願番号）：特開2000-323466
出願日： 1999年04月30日
公開日（公表日）： 2000年11月24日
要約：

【要約】【課題】 真空処理チャンバに影響を与えることなく、排ガスをプラズマにより効率よく分解することのできる基板処理装置を提供すること。【解決手段】 本発明による基板処理装置10は、真空処理チャンバ12内のガスを排ガスとして排出する第1の真空ポンプ42と、その下流に配置されたプラズマチャンバ54と、その内部にプラズマを形成するためのコイルアンテナ56と、コイルアンテナ56に高周波電力を印加する高周波電源60と、プラズマチャンバ内に酸素含有ガスを供給する酸素供給手段62と、プラズマチャンバの下流に配置された第2の真空ポンプ48とを備えることを特徴とする。この構成では、第1の真空ポンプが真空処理チャンバとプラズマチャンバとの間を遮断するため、プラズマチャンバ内での分解処理が真空処理チャンバに対して影響を与えることはない。

請求項（抜粋）：

真空処理チャンバと、前記真空処理チャンバ内に配置され、被処理基板を支持する基板支持体と、所定のプロセスを実行するためのプロセスガスを前記真空処理チャンバ内に供給するプロセスガス供給手段と、前記真空処理チャンバ内を減圧し、前記真空処理チャンバ内のガスを排ガスとして排出する第1の真空ポンプと、入口部が前記第1の真空ポンプの吐出口に接続される誘電体材料から成るプラズマチャンバと、前記プラズマチャンバの内部にプラズマを形成すべく該プラズマチャンバの外周に配置されたコイルアンテナと、前記コイルアンテナに高周波電力を印加する高周波電源と、前記プラズマチャンバ内に酸素含有ガスを供給する酸素供給手段と、吸込口が前記プラズマチャンバの出口部に接続された第2の真空ポンプと、を備える基板処理装置。

IPC (4件)：

H01L 21/31 ,  C23C 16/44 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/3065

FI (4件)：

H01L 21/31 C ,  C23C 16/44 E ,  C23F 4/00 A ,  H01L 21/302 B

Fターム (58件)：

4K030AA04 ,  4K030AA06 ,  4K030AA16 ,  4K030BA29 ,  4K030BA44 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030DA03 ,  4K030DA08 ,  4K030EA12 ,  4K030FA03 ,  4K030KA17 ,  4K030KA23 ,  4K030KA30 ,  4K057DA01 ,  4K057DA18 ,  4K057DB06 ,  4K057DD01 ,  4K057DE07 ,  4K057DE08 ,  4K057DE09 ,  4K057DM04 ,  4K057DM37 ,  4K057DM39 ,  4K057DN01 ,  5F004AA15 ,  5F004BA04 ,  5F004BB13 ,  5F004BB26 ,  5F004BB28 ,  5F004BC02 ,  5F004BC08 ,  5F004BD04 ,  5F004DA00 ,  5F004DA01 ,  5F004DA02 ,  5F004DA03 ,  5F004DA16 ,  5F004DA17 ,  5F004DA18 ,  5F004DA23 ,  5F004DA26 ,  5F045AA08 ,  5F045AB33 ,  5F045AC01 ,  5F045AC11 ,  5F045BB14 ,  5F045DP03 ,  5F045EB06 ,  5F045EB10 ,  5F045EE05 ,  5F045EF05 ,  5F045EG03 ,  5F045EG05 ,  5F045EG07 ,  5F045EH05 ,  5F045EH13 ,  5F045EK05

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 半導体製造排ガスの除害装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-207285   出願人：カンケンテクノ株式会社