特許
J-GLOBAL ID：200903001923734270
多層配線構成体
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-185896
公開番号（公開出願番号）：特開平8-051150
出願日： 1994年08月08日
公開日（公表日）： 1996年02月20日
要約：
【要約】【構成】シリコン基板上に形成した熱酸化膜と、該熱酸化膜上に形成したパターン加工された金属層と、少なくとも該熱酸化膜の上に形成されたケイ素化合物層と、該ケイ素化合物層上に形成された絶縁層を最少限具備してなる多層配線構成体。【効果】絶縁層と熱酸化膜および絶縁層と金属層間の接着性を高め、信頼性が高い多層配線構成体を提供することができる。
請求項（抜粋）：
シリコン基板上に形成した熱酸化膜と、該熱酸化膜上に形成したパターン加工された金属層と、少なくとも該熱酸化膜の上に形成されたケイ素化合物層と、該ケイ素化合物層上に形成された絶縁層を最少限具備してなる多層配線構成体。
IPC (5件)：
H01L 21/768
, H01L 21/312
, H01L 21/316
, H05K 3/38
, H05K 3/46
