特許

J-GLOBAL ID：200903001926886101

シリコン発光ダイオード

発明者： 高橋 庸夫 ,  小野 行徳 ,  田部 道晴
出願人/特許権者： 日本電信電話株式会社
代理人 (1件)： 高山 敏夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-195844
公開番号（公開出願番号）：特開平8-046237
出願日： 1994年07月27日
公開日（公表日）： 1996年02月16日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】薄層シリコン層の両側にp型,n型の半導体を配設し、他のシリコン基板を用いた能動素子と併用を可能にする。【構成】シリコン基板1上に形成された酸化膜2と、酸化膜上に形成され発光領域となる薄い上層シリコン層6と、これに延設された厚い上層シリコン層7と、の両シリコン層上に形成された絶縁膜4を介して、薄い上層シリコン層の一方の側部の斜面に接触するように配設された導電性膜8とを備え、発光領域6の両側にpn層が形成され、かつ発光領域を形成するシリコン層6の厚さは3以下ないし1ナノメータ以上であるシリコン発光ダイオード。

請求項（抜粋）：

シリコン基板上に形成された酸化膜と、前記酸化膜上に形成され発光領域となる薄い上層シリコン層と、これに延設された厚い上層シリコン層と、前記の両シリコン層上に形成された絶縁膜を介して、前記薄い上層シリコン層の一方の側部の斜面に接触するように配設された導電性膜とを備え、前記発光領域の両側にpn層が形成され、かつ前記発光領域を形成するシリコン層の厚さは3以下ないし1ナノメータ以上であることを特徴とするシリコン発光ダイオード。