特許

J-GLOBAL ID：200903001932016992

光半導体装置

発明者： 山本 剛之 ,  小林 宏彦 ,  江川 満 ,  藤井 卓也
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 岡本 啓三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-322833
公開番号（公開出願番号）：特開平9-162485
出願日： 1995年12月12日
公開日（公表日）： 1997年06月20日
要約：

【要約】【課題】選択成長法により利得領域の膜厚と導波路領域の膜厚を異ならせた化合物半導体装置に関し、膜厚の厚い領域での圧縮歪みを低減すること。【解決手段】利得領域30Aで平坦に形成され、導波路領域30Bでは該利得領域30Aよりも薄く且つテーパ状に形成される量子井戸構造層34と、前記量子井戸構造層34の上下に形成されるクラッド層32、36と、前記クラッド層32、36と前記量子井戸構造層34の間において前記利得領域30Aで平坦で且つ前記導波路領域30Bでテーパ状に形成されるとともに、該テーパの先端で引張応力が生じている光ガイド層33、35とを含む。

請求項（抜粋）：

利得領域で平坦に形成され、導波路領域では該利得領域よりも薄く且つテーパ状に形成される量子井戸構造層と、前記量子井戸構造層の上下に形成されるクラッド層と、前記クラッド層と前記量子井戸層の間において前記利得領域で平坦で且つ前記導波路領域でテーパ状に形成されるとともに、該記テーパの先端で引張応力が生じている光ガイド層とを有することを特徴とする光半導体装置。

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 光半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-165145   出願人：富士通株式会社