特許
J-GLOBAL ID：200903020884738535
光半導体装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
岡本 啓三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-165145
公開番号（公開出願番号）：特開平7-283490
出願日： 1994年07月18日
公開日（公表日）： 1995年10月27日
要約：
【要約】【目的】光通信、光ディスク装置、光インターコネクションなどの光源に用いられる光半導体装置に関し、導波路での光吸収を小さくし、低閾値で安定なレーザ発振すること。【構成】光を発振させる利得領域Aから光を発振させずに導波するモード変換領域Bにかけて形成され、且つ、該モード変換領域Bでは層数を変えずに該利得領域Aから離れるにつれて膜厚が薄く形成され、さらに該モード変換領域Bでの入射端の膜厚は出射端の膜厚に比べて2倍以上となるストライプ状の量子井戸構造層6と、前記量子井戸構造層6を挟む第一及び第二のクラッド層2,8とを含む。
請求項（抜粋）：
光を発振させる利得領域から光を発振させずに導波するモード変換領域にかけて形成され、且つ、該モード変換領域では層数を変えずに該利得領域から離れるにつれて膜厚が薄く形成され、さらに該モード変換領域での入射端の膜厚は出射端の膜厚に比べて2倍以上となるストライプ状の量子井戸構造層と、前記量子井戸構造層を挟む第一及び第二のクラッド層とを有することを特徴とする光半導体装置。
IPC (4件)：
H01S 3/18
, G11B 7/125
, H01L 27/15
, H01L 29/06
