特許

J-GLOBAL ID：200903001937491818

酸化膜のエッチング方法およびその装置

発明者： 小柳 哲雄
出願人/特許権者： アイシーエフ株式会社
代理人 (2件)： 佐野 章吾 ,  寒川 潔
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-207782
公開番号（公開出願番号）：特開2008-034688
出願日： 2006年07月31日
公開日（公表日）： 2008年02月14日
要約：

【課題】完全なドライ環境の下で酸化膜のエッチング速度を抑制し、かつ、シリカ残渣が残らない酸化膜のエッチング方法およびその装置を提供する。【解決手段】酸化膜が形成された半導体ウエハWを、80°C乃至120°Cの所定の温度下でかつ12Kpa乃至40Kpaの範囲内の所定の減圧下に保持した反応室2内に置き、この状態で、無水フッ化水素ガスを所定の混合比率で窒素ガスにより希釈化した反応ガスGに曝してエッチングを行なう。エッチング速度は、無水フッ化水素ガスと窒素ガスの混合比率により調節する。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

酸化膜が形成された半導体ウエハを、80°C乃至120°Cの所定の温度下でかつ12Kpa乃至40Kpaの範囲内の所定の減圧下に保持した状態で、無水フッ化水素ガスを所定の混合比率で不活性ガスにより希釈化した反応ガスに曝すことを特徴とする酸化膜のエッチング方法。

IPC (2件)：

H01L 21/306 ,  H01L 21/304

FI (2件)：

H01L21/302 102 ,  H01L21/304 645B

Fターム (11件)：

5F004AA13 ,  5F004BA19 ,  5F004BB24 ,  5F004BB26 ,  5F004BB28 ,  5F004CA02 ,  5F004CA04 ,  5F004DA20 ,  5F004DA25 ,  5F004DB03 ,  5F004FA08

引用特許：

出願人引用 (2件)

• スピンプロセッサ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-164469   出願人：ソニー株式会社
• 基板表面の処理方法、半導体素子向け基板表面の処理方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-135881   出願人：エム・エフエスアイ株式会社