特許
J-GLOBAL ID：200903001949821082
低抵抗p型GaN結晶の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小倉 亘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-258054
公開番号（公開出願番号）：特開平10-101496
出願日： 1996年09月30日
公開日（公表日）： 1998年04月21日
要約：
【要約】【課題】 1019〜1020cm-3の高濃度にドーピングしたp型GaN結晶を得る。【解決手段】 MBE法でGaN結晶を成長させる際、N2 ガスを電磁波で分解すると共にSi蒸気又は原子状Oを発生させ、Mg:Si=2:1,Mg:O=2:1,Be:Si=2:1又はBe:O=2:1に調製した原子状混合ガスを結晶成長域に導入する。原子状混合ガスは、MOCVD法ではGa,Mg,Beの有機金属ガスを電磁波RFで分解することにより調製される。【効果】 Si又はOとMg又はBeを1:2の割合で同時ドーピングするとき、Ga位置及びN位置を占めるn型ドーパントSi又はOとp型ドーパントMg又はBeが1:1の対を形成し、この原子対の周りに更に1個のMg又はBe原子が配位し、アクセプターとして働く。その結果、高濃度までアクセプターが活性化し、p型ドーパントMg又はBeを高濃度までドーピングできる。
請求項（抜粋）：
MBE法又はMOCVD法でGaN結晶を成長させる際、Si:Mg=1:2,O:Mg=1:2,Si:Be=1:2又はO:Be=1:2に調製した原子状混合ガスを結晶成長域に導入し、Si又はOをMg又はBeと同時ドーピングすることを特徴とする低抵抗p型GaN結晶の製造方法。
IPC (4件)：
C30B 29/38
, C30B 23/08
, C30B 25/02
, H01S 3/18
C30B 29/38 D
, C30B 23/08 M
, C30B 25/02 Z
, H01S 3/18
