プラズマ気相成長装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：内原晋
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-238529
公開番号（公開出願番号）：特開平5-070957
出願日： 1991年09月19日
公開日（公表日）： 1993年03月23日
要約：

【要約】【目的】高周波放電によるプラズマ気相成長装置において、微細で段差のきびしいパターンでも、その段差部の平坦部と側壁部の膜質ご等しい膜を形成する。【構成】上部電極板4と基板台8の間に、半導体基板に対して平行な方向に電界が発生するように、側部電極板7を備え、低周波電源6によりこの側部電極板7に低周波電源を印加する。

請求項（抜粋）：

高周波放電により半導体表面に薄膜を形成するプラズマ気相成長装置において、前記半導体基板に対して平行な方向に電界を発生する水平方向電界発生機構と、前記半導体基板に対して垂直な方向に電界を発生させる垂直方向電界発生機構を備えていることを特徴とするプラズマ気相成長装置。

IPC (3件)：

C23C 16/50 , H01L 21/205 , H01L 21/31

引用特許：

審査官引用 (4件)

特開平2-219218
特開昭59-155916
特開平3-082024

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