特許
J-GLOBAL ID：200903001965956486
半導体構造およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
中村 稔 (外9名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-396575
公開番号（公開出願番号）：特開2001-251017
出願日： 2000年12月27日
公開日（公表日）： 2001年09月14日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】様々な半導体の応用において埋込み層を平面横方向に酸化する半導体構造及びその製造方法を提供する。【解決手段】酸化しようとする層の側壁をさらすメサを形成する代わりに、複数のエッチングされたキャビティ110を使用して、酸化させる埋込み層120にアクセスする。得られた酸化領域の形状とサイズは、各キャビティの形状とキャビティの相互の配置とによって定まる。キャビティ110間の区域は平面のままであるので、次に続く工程たとえば電気接点の形成やホトリソグラプィが容易になる。
請求項（抜粋）：
半導体構造において、基層と、前記基層の上に形成された複数の半導体層であって、最上部層である第1半導体層及び活性層から成る第2半導体層を含む複数の半導体層と、前記最上部層から延びた孔が入り込んでいる酸化可能な半導体層とから成り、前記酸化可能な半導体層の第1領域および第2領域によって境界が定められた非酸化ストライプ領域を形成するように、前記酸化可能な半導体層の前記第1領域および前記第2領域は酸化されていることを特徴とする半導体構造。
IPC (5件)：
H01S 5/22
, H01L 21/205
, H01L 21/764
, H01L 27/15
, H01S 5/183
H01S 5/22
, H01L 21/205
, H01L 27/15 A
, H01S 5/183
, H01L 21/76 A
