半導体レーザ及びその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：柏谷昭司 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-242275
公開番号（公開出願番号）：特開平11-087837
出願日： 1997年09月08日
公開日（公表日）： 1999年03月30日
要約：

【要約】【課題】半導体レーザ及びその製造方法に関し、エッジ・エミッション型或いは面発光型の半導体レーザに酸化物電流狭窄層を作り込むに際し、酸化の深さ、従って、電流注入領域の幅や直径を正確に再現性よく確保できるようにする。【解決手段】 p-AlAs酸化容易層26を含んで積層形成された化合物半導体層、例えばn側クラッド層22、SCH層23、歪み量子井戸活性層24、SCH層25、p-AlAs酸化容易層26、p側クラッド層27、コンタクト層28などに於けるストライプ電流注入領域26Aの両側に沿って延在するように導入されたGa或いはInなどの三族不純物からなる酸化抑止領域29と、p-AlAs酸化容易層26の外縁からストライプ電流注入領域26Aに向かって延在し且つ前記酸化抑止領域29で終端されてストライプ電流注入領域26Aを画成する化合物半導体酸化物からなる絶縁領域26Bとを備える。

請求項（抜粋）：

半導体酸化容易層を含んで積層形成された化合物半導体層に於けるストライプ電流注入領域の両側に沿って延在するように導入された三族不純物からなる酸化抑止領域と、前記半導体酸化容易層の外縁から前記ストライプ電流注入領域に向かって延在し且つ前記酸化抑止領域で終端されて前記ストライプ電流注入領域を画成する化合物半導体酸化物からなる絶縁領域とを備えてなることを特徴とするエッジ・エミッション型半導体レーザ。

引用特許：

出願人引用 (1件)

半導体デバイスの作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-014477 出願人：ヒューレット・パッカード・カンパニー

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