特許
J-GLOBAL ID:200903001976877499
酸素を含む雰囲気で使用する半導体熱処理用発熱体
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
田辺 徹
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平7-171610
公開番号(公開出願番号):特開平9-008016
出願日: 1995年06月15日
公開日(公表日): 1997年01月10日
要約:
【要約】【目的】 酸素を含む各種雰囲気下で良好に使用可能な酸素を含む雰囲気で使用する半導体熱処理用発熱体を提供する。【構成】 炭素基材の表面にSiCコーティングが形成されていて、そのSiCコーティングの結晶体の結晶粒径が80%以上の表面で20〜100μmで占められている酸素を含む雰囲気で使用する半導体熱処理用発熱体。
請求項(抜粋):
0.5〜100%の酸素を含む雰囲気で使用する酸素を含む雰囲気で使用する半導体熱処理用発熱体において、発熱体が炭素基材の表面にSiCコーティングを形成したものであって、そのSiCコーティングの結晶体の結晶粒径の20〜100μmが80%以上で占められていて、発熱体の形状が線状又はスパイラル状であることを特徴とする酸素を含む雰囲気で使用する半導体熱処理用発熱体。
IPC (3件):
H01L 21/31
, H01L 21/22 501
, H01L 21/316
FI (3件):
H01L 21/31 F
, H01L 21/22 501 A
, H01L 21/316 S
引用特許:
審査官引用 (3件)
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特開平4-068296
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ヒータ
公報種別:公開公報
出願番号:特願平6-149053
出願人:東芝機械株式会社
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特開平4-068296
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