特許
J-GLOBAL ID：200903001989838344
窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-236743
公開番号（公開出願番号）：特開平10-084160
出願日： 1996年09月06日
公開日（公表日）： 1998年03月31日
要約：
【要約】【課題】 本発明は、低抵抗p側電極を容易に形成でき、且つ、活性層へ高効率で均一にキャリア注入できる高キャリア濃度のp型窒化ガリウム系化合物半導体構造により、低しきい値電流、低動作電圧で、劣化を起こさず、優れた信頼性の実現を図る。【解決手段】 正孔伝導型半導体層はMgを添加したp電極コンタクト層(9)を有し、p電極コンタクト層よりも活性層(6)側には少なくともGa<SB>x2</SB>In<SB>y2</SB>Al<SB>z2</SB>N(x2+y2+z2=1、0≦x2,z2≦1、0<y2≦1)平滑化層が形成され、且記p電極コンタクト層の表面にはPt層(10)、TiN層(11a)及びTi層(11)の順序の積層構造が形成され、しかも、p電極コンタクト層とPt層との間にはPt-半導体からなる合金層(15)が形成されていることを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。
請求項（抜粋）：
窒化ガリウム系化合物半導体(Ga<SB>x1</SB>In<SB>y1</SB>Al<SB>z1</SB>N:x1+y1+z1=1、0≦x1,y1,z1≦1)からなり、活性層を導電型の異なる半導体層で挟んだ窒化ガリウム系化合物半導体発光素子において、正孔伝導型半導体層はMgを添加したp電極コンタクト層を有し、前記p電極コンタクト層よりも前記活性層側には少なくともGa<SB>x2</SB>In<SB>y2</SB>Al<SB>z2</SB>N(x2+y2+z2=1、0≦x2,z2≦1、0<y2≦1)平滑化層が形成され、且つ前記p電極コンタクト層の表面にはPt層、TiN層及びTi層の順序の積層構造が形成され、しかも、前記p電極コンタクト層と前記Pt層との間にはPt-半導体からなる合金層が形成されていることを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。
引用特許：
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