半導体発光素子及びその製造方法

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：山本秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-199461
公開番号（公開出願番号）：特開平9-260781
出願日： 1996年07月29日
公開日（公表日）： 1997年10月03日
要約：

【要約】【課題】高バイアス駆動時においても光出力飽和の少ない半導体発光素子を実現する。【解決手段】 n-InP基板の上に、最上層にp-InGaAsコンタクト層を有する埋め込み型へテロ構造を形成した後に、p-InGaAsコンタクト層の上にPt層、Ti層、Pt層から成る金属多層膜を順次蒸着し、アニールを行ってp型電極に含まれるコンタクト電極層を形成する。さらに、全面に金属多層膜を蒸着し、最後にn型電極を形成する。このように、p型電極に含まれるコンタクト電極層をPt層、Ti層及びPt層を順次積層した構造にすることにより、コンタクト抵抗が低減される。この結果、高バイアス駆動時においても発熱が小さくなり、光出力の飽和が少ない高出力半導体発光素子が実現される。

請求項（抜粋）：