特許

J-GLOBAL ID：200903001990285790

p型III族ナイトライド化合物半導体の製造方法、発光ダイオードの製造方法および半導体レーザの製造方法

発明者： 朝妻 庸紀 ,  簗嶋 克典 ,  宮嶋 孝夫
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 藤島 洋一郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-327175
公開番号（公開出願番号）：特開2005-045292
出願日： 2004年11月11日
公開日（公表日）： 2005年02月17日
要約：

【課題】 結晶性および電気伝導性を向上させると共に、結晶の成長面内における組成比やp型不純物濃度を均一とする。【解決手段】 AlGaN混晶よりなる厚さ1〜100nm程度の第1の層11と、Mgが添加されたp型GaNよりなる厚さ1〜100nm程度の第2の層12とを交互にそれぞれ複数積層する。アルミニウムの含有量とp型不純物濃度とが互いに異なる第1の層11と第2の層12とをそれぞれ別工程で形成し、全体としてはp型AlGaN混晶としての性質を持つ良好なp型III族ナイトライド化合物半導体を製造することができる。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

アルミニウム,ガリウムおよび窒素を含む第1の層を形成すると共に、前記第1の層にマグネシウムを相対的に低い濃度で添加する工程と、 ガリウムおよび窒素を含む第2の層を形成すると共に、前記第2の層にマグネシウムを相対的に高い濃度で添加して第1の層よりも低抵抗の層を形成する工程とを備え、 前記第1の層と第2の層とを交互にそれぞれ複数層形成することを特徴とするp型III族ナイトライド化合物半導体の製造方法。

IPC (1件)：

H01L33/00

FI (1件)：

H01L33/00 C

Fターム (6件)：

5F041AA21 ,  5F041AA40 ,  5F041CA40 ,  5F041CA57 ,  5F041CA58 ,  5F041CA65

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 窒化物半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-285404   出願人：日亜化学工業株式会社