窒化物半導体素子

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-285404
公開番号（公開出願番号）：特開平10-326943
出願日： 1997年10月17日
公開日（公表日）： 1998年12月08日
要約：

【要約】【目的】結晶欠陥の少ない窒化物半導体素子を実現して、窒化物半導体を用いたLED素子、レーザ素子、受光素子等の窒化物半導体デバイスの寿命を向上させて、信頼性の高い素子を実現する。【構成】活性層と、p型不純物がドープされた窒化物半導体よりなる第1の層との間に、p型不純物がドープされていないか、若しくはp型不純物濃度が第1の層よりも小さい窒化物半導体よりなる第2の層を有し、さらに前記活性層と、n型不純物がドープされた窒化物半導体よりなる第3の層との間に、n型不純物がドープされていないか、若しくはn型不純物濃度が第3の層よりも小さい窒化物半導体よりなる第4の層を有することにより、第2の層、第4の層で結晶性が良くなるので半導体素子の結晶欠陥が少なくなって素子が長寿命になる。

請求項（抜粋）：

活性層と、p型不純物がドープされた窒化物半導体よりなる第1の層との間に、p型不純物がドープされていないか、若しくはp型不純物濃度が第1の層よりも小さい窒化物半導体よりなる第2の層を有することを特徴とする窒化物半導体素子。

IPC (2件)：

H01S 3/18 , H01L 33/00

FI (2件)：

H01S 3/18 , H01L 33/00 C

引用特許：

審査官引用 (6件)

半導体レーザ素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-118711 出願人：三井石油化学工業株式会社
自励発振型半導体レーザ素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-109896 出願人：三洋電機株式会社
半導体発光素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-106968 出願人：ソニー株式会社

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