特許

J-GLOBAL ID：200903002011200590

レジストパターン形成方法及びそのレジストパターン形成方法を用いた半導体装置の製造方法

発明者： 佐藤 康彦 ,  浅野 昌史 ,  伊藤 信一
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-333324
公開番号（公開出願番号）：特開平9-171952
出願日： 1995年12月21日
公開日（公表日）： 1997年06月30日
要約：

【要約】【課題】 被加工物側からレジスト側への露光光の反射を極力押さえ、かつ、反射防止膜全体での露光光吸収効率を高くして反射防止膜を十分に薄くして、被加工物に対する加工精度を向上させる。【解決手段】 被加工物上に反射防止膜、レジストを順次形成し、レジストを選択的に露光、現像を行いレジストパターンを形成するレジストパターン形成方法において、レジストと反射防止膜との界面における当該反射防止膜の露光波長に対する消衰係数を界面での露光光反射を防止する大きさとし、かつ、当該反射防止膜の消衰係数をレジストとの界面側から被加工物との界面側に向って増大するように設定するレジストパターン形成方法。

請求項（抜粋）：

被加工物上に反射防止膜、レジストを順次形成し、前記レジストを選択的に露光、現像を行いレジストパターンを形成するレジストパターン形成方法において、当該反射防止膜の消衰係数を前記レジストとの界面側から前記被加工物との界面側に向って増大するように設定することを特徴とするレジストパターン形成方法。

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開平4-234109
  
• パターン形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-031683   出願人：株式会社日立製作所