半導体レーザおよび半導体レーザの動作方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：山内梅雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-278518
公開番号（公開出願番号）：特開平9-121071
出願日： 1995年10月26日
公開日（公表日）： 1997年05月06日
要約：

【要約】【課題】製作後に可飽和吸収領域の位置や長さを任意に変更可能なモード同期動作を行う半導体レーザを提供する。【解決手段】電極161 は電流注入を行い利得領域を形成するためのものである。逆バイアスを印加し可飽和吸収領域を形成するための電極は、複数の電極162 〜164 に分割されている。電極162 〜164 のうち実際に逆バイアスを印加する電極およびその数を選択することによって、可飽和吸収領域の形成される位置および長さをデバイスの製作後に任意に変更することができる。これにより最適なモード同期動作を得ることができる。

請求項（抜粋）：

活性層をこれと屈折率の異なるクラッド層でその両側から挟んだ光導波路と、この光導波路の一部の領域に電流を注入し利得領域を形成するための電極と、この電極によって電流の注入される領域以外の領域を複数に分割した小領域ごとにそれぞれ設けられ任意の小領域に逆バイアスを与えて任意の長さの可飽和吸収領域を任意の位置に形成するための複数の電極とを具備することを特徴とする半導体レーザ。

引用特許：

審査官引用 (2件)

半導体レーザ
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-253860 出願人：日本電気株式会社
特開平4-002190

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