特許
J-GLOBAL ID：200903002022855687
半導体レーザ励起固体レーザ装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
丸山 隆夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-064649
公開番号（公開出願番号）：特開2006-237540
出願日： 2005年03月08日
公開日（公表日）： 2006年09月07日
要約：
【課題】 装置の波長を複数化し、且つ可視光とするとともに、装置の高効率化を実現し、小型パッケージ化が可能で、高出力且つ安価な半導体レーザ励起固体レーザ装置を提供する。【解決手段】 励起光源である半導体レーザアレイ素子により固体レーザ材料を励起し、光共振器によりレーザ出力を得る半導体レーザ励起固体レーザ装置であって、個体レーザ材料は、端面を光共振器として利用したマイクロチップレーザ構成であり、半導体レーザアレイ素子は、固体レーザ材料のレーザ出力方向と直交する方向からレーザ光を励起する構成であり、固体レーザ材料及び半導体レーザアレイ素子は、同一の実装基板上に配置される。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
励起光源である半導体レーザアレイ素子により固体レーザ材料を励起し、光共振器によりレーザ出力を得る半導体レーザ励起固体レーザ装置であって、
前記個体レーザ材料は、端面を光共振器として利用したマイクロチップレーザ構成であり、
前記半導体レーザアレイ素子は、前記固体レーザ材料のレーザ出力方向と直交する方向からレーザ光を励起する構成であり、
前記固体レーザ材料及び前記半導体レーザアレイ素子は、同一の実装基板上に配置されることを特徴とする半導体レーザ励起固体レーザ装置。
IPC (3件)：
H01S 3/06
, H01S 3/109
, H01S 3/094
H01S3/06
, H01S3/109
, H01S3/094 S
5F172AE03
, 5F172AE30
, 5F172AF02
, 5F172AL07
, 5F172EE15
, 5F172EE16
, 5F172NN08
, 5F172NN28
, 5F172NR22
出願人引用 (5件)
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レーザ装置
公報種別：公開公報
出願番号：特願平7-112910
出願人：三井石油化学工業株式会社
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固体レーザ発振装置
公報種別：公開公報
出願番号：特願2000-331310
出願人：澁谷工業株式会社
-
米国特許第5553088号明細書
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審査官引用 (8件)
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引用文献：
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