特許

J-GLOBAL ID：200903002024517118

半導体装置の製造方法

発明者： 平野 尚彦 ,  長坂 進介
出願人/特許権者： 株式会社デンソー
代理人 (3件)： 伊藤 洋二 ,  三浦 高広 ,  水野 史博
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-375319
公開番号（公開出願番号）：特開2005-142258
出願日： 2003年11月05日
公開日（公表日）： 2005年06月02日
要約：

【課題】 半導体チップの両面に一対のヒートシンクを配設してなる装置に対して、溶剤含有型樹脂を塗布した後、当該装置のほぼ全体をモールド樹脂でモールドするようにした半導体装置の製造方法において、装置に対して溶剤含有型樹脂を一様に形成できるようにする。【解決手段】 溶剤含有型樹脂を塗布する工程の後であってモールド樹脂60でモールドする工程の前に、一対のヒートシンク20、30の間で温度勾配をなくすように、恒温槽やドライヤー等を用いて装置100を加熱することにより、溶剤含有型樹脂の乾燥を行う。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

発熱素子(10)とこの発熱素子(10)の両面から放熱するための一対の放熱板(20、30)とを備える装置(100)を用意し、 前記装置(100)の表面に溶剤を含有してなる溶剤含有型樹脂(90)を塗布する工程と、 しかる後、前記装置(100)のほぼ全体をモールド樹脂(60)でモールドする工程とを有する半導体装置の製造方法において、 前記溶剤含有型樹脂(90)を塗布する工程の後であって前記モールド樹脂(60)でモールドする工程の前に、前記一対の放熱板(20、30)の間で温度勾配をなくすように、前記装置(100)を加熱することにより、前記溶剤含有型樹脂(90)の乾燥を行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L23/29 ,  H01L21/56 ,  H01L23/31

FI (2件)：

H01L23/30 B ,  H01L21/56 R

Fターム (8件)：

4M109AA01 ,  4M109DB03 ,  4M109DB15 ,  4M109ED01 ,  4M109EE02 ,  5F061AA01 ,  5F061CB05 ,  5F061CB12

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-196140   出願人：株式会社デンソー