半導体装置

発明者： , , , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：佐藤強
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-196140
公開番号（公開出願番号）：特開2003-110064
出願日： 2002年07月04日
公開日（公表日）： 2003年04月11日
要約：

【要約】【課題】半導体装置に対して大きな熱応力が作用したときに、素子破壊を防止することができ、半導体装置の長期的信頼性を向上させる。【解決手段】本発明の半導体装置1は、半導体チップ2と、この半導体チップ2の両面から放熱するための一対のヒートシンク3、4とを備え、装置のほぼ全体を樹脂7でモールドしたものにおいて、半導体チップ2の厚さ寸法をt1とし、一対のヒートシンク3、4のうちの少なくとも一方のヒートシンク3の厚さ寸法をt2としたときに、t2/t1≧5が成立するように構成したものである。本発明者らは、上記構成の半導体装置1に対して大きな熱応力が作用しても、素子破壊が発生しないことを試作と実験により確認した。

請求項（抜粋）：

発熱素子と、この発熱素子の両面から放熱するための一対の放熱板とを備え、装置のほぼ全体を樹脂でモールドした半導体装置において、前記発熱素子の厚さ寸法をt1とし、前記一対の放熱板のうちの少なくとも一方の放熱板の厚さ寸法をt2としたときに、t2/t1≧5が成立するように構成したことを特徴とする半導体装置。

Fターム (6件)：

5F036AA01 , 5F036BA23 , 5F036BC06 , 5F036BD01 , 5F036BD21 , 5F036BE01

引用特許：

審査官引用 (4件)

特開昭58-165348
樹脂封止半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-268215 出願人：富士電機株式会社
特開昭63-142640

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