特許

J-GLOBAL ID：200903002034161842

p型半導体、p型半導体の製造方法、半導体装置、光起電力素子、半導体装置の製造方法

発明者： 渡辺 隆行 ,  山本 哲也 ,  吉田 博
出願人/特許権者： 旭化成工業株式会社
代理人 (1件)： 森 哲也 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-219503
公開番号（公開出願番号）：特開平11-060399
出願日： 1997年08月14日
公開日（公表日）： 1999年03月02日
要約：

【要約】【課題】Ib-IIIb-VIb2 族化合物半導体(特に、CuInS2 )を母材としたp型半導体において、キャリア濃度が高く、製造上および性能の点で有利なものを得る。【解決手段】CuInS2 にP(p型不純物)とSn(n型不純物)の両方を添加して、p型CuInS2 を形成する。このp型半導体のキャリア濃度は5×1017(cm-3)であり、PとともにInを添加した場合の値(5×1016(cm-3))、Pのみを添加した場合の値(3×1015(cm-3))と比較して大きい。PとSnを含むCuInS2 層をp型半導体層3とし、ガラス基板2、Mo電極1、p型半導体層3、CdS層(n型半導体層)4、ITO電極5からなる層構造の薄膜太陽電池を作製する。この太陽電池の変換効率は12%と高い値であった。

請求項（抜粋）：

Ib-IIIb-VIb2 族化合物半導体に、IIa族元素および/またはVb族元素からなるp型不純物と、IVb族元素および/またはVIIb族元素からなるn型不純物とを含有していることを特徴とするp型半導体。

IPC (5件)：

C30B 31/00 ,  H01L 21/20 ,  H01L 31/04 ,  H01L 33/00 ,  H01L 21/02

FI (5件)：

C30B 31/00 ,  H01L 21/20 ,  H01L 33/00 A ,  H01L 21/02 B ,  H01L 31/04 E