特許
J-GLOBAL ID：200903002066890056
量子波干渉層を有するトランジスタ
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
藤谷 修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-358049
公開番号（公開出願番号）：特開2000-236084
出願日： 1999年12月16日
公開日（公表日）： 2000年08月29日
要約：
【要約】【課題】キャリアを高透過する多重井戸構造の量子波干渉層を設けることにより、トランジスタの動作特性を向上させること。【解決手段】npn接合のp層において、第1層と第1層よりもバンド幅の広い第2層とを多重周期で積層した量子波干渉層を、注入された電子の各層における量子波の波長の4分の1の偶数倍に設定して形成した。この量子波干渉層は、電子を高透過する透過層として働き、npn接合の動作抵抗を著しく小さくすることができる。この、電子透過層を有するnpn型MESFETは、電子透過層を有しないMESFETに比して動作特性が改善されている。同様の理論より、正孔透過層を有する、動作特性の改善されたトランジスタも製造可能である。これはバイポーラトランジスタ、或いはMOSFETにも適用できる。
請求項（抜粋）：
第1層と第1層よりもバンド幅の広い第2層とを多重周期で積層した量子波干渉層をベース領域又はチャネル領域に設けたトランジスタにおいて、前記第1層と前記第2層の厚さを注入された少数キャリアの各層における量子波の波長の4分の1の偶数倍に設定した量子波干渉層を設けたことを特徴とするトランジスタ。
IPC (5件)：
H01L 29/06
, H01L 29/205
, H01L 21/331
, H01L 29/73
, H01L 29/80
H01L 29/06
, H01L 29/205
, H01L 29/72
, H01L 29/80 A
