特許
J-GLOBAL ID：200903002101692130
III-V族強磁性半導体とその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
西 義之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-220741
公開番号（公開出願番号）：特開2004-063832
出願日： 2002年07月30日
公開日（公表日）： 2004年02月26日
要約：
【課題】III-V族強磁性半導体の強磁性は正孔媒介の磁性スピン間相互作用により生じ、これまでの最高強磁性転移温度は110Kであるため、室温で動作する素子は作製されていない。そのため、室温動作素子の実現に向けて強磁性転移温度の向上が期待されている。【解決手段】III-V族強磁性半導体にMnなどの磁性元素とBe、Cなどの非磁性アクセプタ元素を同時にドーピングさせてなることを特徴とするIII-V族強磁性半導体。分子線エピタキシ法おいて、III-V族強磁性半導体に磁性元素と非磁性アクセプタ元素を同時にドーピングすることにより強磁性転移温度を向上させる。また、同時ドーピングした後に熱処理するとさらに強磁性転移温度を向上させることができる。【選択図】 なし
請求項（抜粋）：
III-V族強磁性半導体に磁性元素と非磁性アクセプタ元素を同時にドーピングさせてなることを特徴とするIII-V族強磁性半導体。
IPC (3件)：
H01F1/40
, H01F10/193
, H01L21/203
H01F1/00 A
, H01F10/193
, H01L21/203 M
5E040AA20
, 5E040CA11
, 5E049AA10
, 5E049BA16
, 5E049FC10
, 5F103AA04
, 5F103DD03
, 5F103HH03
, 5F103KK10
, 5F103LL20
, 5F103PP03
, 5F103RR10
