特許

J-GLOBAL ID：200903002120186386

n型亜鉛アンチモン系化合物熱電半導体

発明者： 長谷崎 和洋
出願人/特許権者： 国立大学法人島根大学
代理人 (1件)： 森山 陽
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-072844
公開番号（公開出願番号）：特開2009-260321
出願日： 2009年03月24日
公開日（公表日）： 2009年11月05日
要約：

【課題】熱から電力に直接変換する熱電半導体材料に関し、特に、n型亜鉛アンチモン系化合物熱電半導体を提供する。【解決手段】熱を直接電力に変換する亜鉛アンチモン系化合物(ZnSb、β-Zn4Sb3)に、窒化物を添加した。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

熱を直接電力に変換する亜鉛アンチモン系化合物に、窒化物を添加した、n型亜鉛アンチモン系化合物熱電半導体。

IPC (2件)：

H01L 35/18 ,  H02N 11/00

FI (2件)：

H01L35/18 ,  H02N11/00 A

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 高強度熱電材料
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-378807   出願人：株式会社超高温材料研究所
• 熱電変換モジュール
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-131545   出願人：株式会社住友金属エレクトロデバイス

審査官引用 (2件)

• 高強度熱電材料
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-378807   出願人：株式会社超高温材料研究所
• 熱電変換モジュール
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-131545   出願人：株式会社住友金属エレクトロデバイス