特許
J-GLOBAL ID：200903002122830320
化合物半導体太陽電池素子の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
倉内 義朗
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-403109
公開番号（公開出願番号）：特開2005-166913
出願日： 2003年12月02日
公開日（公表日）： 2005年06月23日
要約：
【課題】基板上に複数の化合物半導体層が形成されてなる化合物半導体太陽電池素子を製造するにあたり、パターニング作業を削減し、エッチャントへの浸漬回数を低減する。【解決手段】基板10上に積層された化合物半導体層20〜40をメサエッチングするに際して当該化合物半導体層の最表層をメサエッチング液から保護するために最上層の化合物半導体層40の表面に保護膜50を形成する工程と、基板10及び基板10上に積層された化合物半導体層20〜40を機械的に切断することにより化合物半導体太陽電池素子を所定の最終形状に切り出す工程とを実施した後に、化合物半導体層20〜40のメサエッチングを行う。このように保護膜形成工程と素子の切り出し工程の後に、化合物半導体層をメサエッチングする工程を実施することで、エッチャントへの浸漬回数を低減する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
基板上に組成の異なる複数の化合物半導体層が積層され、それら複数の化合物半導体層によって1つ以上のpn接合が形成されているとともに、前記複数の化合物半導体層が、少なくとも、第1のエッチング液でエッチングされ易くかつ第2のエッチング液でエッチングされ難い層と、第2のエッチング液でエッチングされ易くかつ第1のエッチング液でエッチングされ難い層とを含む化合物半導体太陽電池素子の製造方法であって、
前記基板上に積層された化合物半導体層をメサエッチングするに際して、当該化合物半導体層の最表層をメサエッチング液から保護するために前記最表層上に保護膜を形成する保護膜形成工程と、前記基板及びこの基板上に積層された化合物半導体層を機械的に切断することにより化合物半導体太陽電池素子を所定の最終形状に切り出す切り出し工程と、前記保護膜形成工程及び切り出し工程を実施した後に、前記化合物半導体層をメサエッチングする工程とを含むことを特徴とする化合物半導体太陽電池素子の製造方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (3件)：
5F051AA08
, 5F051CB21
, 5F051GA04
