特許
J-GLOBAL ID：200903002124916010
薄膜キャパシタ及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-110824
公開番号（公開出願番号）：特開平6-326249
出願日： 1993年05月13日
公開日（公表日）： 1994年11月25日
要約：
【要約】【目的】 電子回路に用いられる薄膜キャパシタにおいて、下部電極と基板が剥離することを防ぐ。【構成】 基板11上に、下部電極、誘電体薄膜16、上部電極17が順次積層された構造の薄膜キャパシタにおいて、下部電極が基板と接する層14及び誘電体薄膜と接する層15を含んだ少なくとも2層以上の導電層が積層された構造からなり、基板と接する層14が4a族元素及びこれらの窒化物、5a族元素及びこれらの窒化物、6a族元素のうちから選ばれた1以上の材料からなり、誘電体薄膜と接する層15がRu、Re、Os、Rh、Irの酸化物のうちから選ばれた1以上の材料からなる構造、或は層14及び層15の間に4a、5a、6a、7a族元素、Ru、Os、Rh、Irのうちから選ばれた1以上の材料からなる中間層21を含んだ構造、及び上記の材料を基板側から順に積層してゆく製造方法。これにより、層14及び21において層15と基板との密着性を向上させることができる。
請求項（抜粋）：
基板上に、下部電極、誘電体薄膜、上部電極が順次積層された構造の薄膜キャパシタにおいて、下部電極が基板と接する層及び誘電体薄膜と接する層を含んだ少なくとも2層以上の導電層が積層された構造からなり、基板と接する層が4a族元素及びこれらの窒化物、5a族元素及びこれらの窒化物、6a族元素のうちから選ばれた1以上の材料からなり、誘電体薄膜と接する層がRu、Re、Os、Rh、Irの酸化物のうちから選ばれた1以上の材料からなることを特徴とする薄膜キャパシタ。
引用特許：
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