窒化物半導体素子

発明者： ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-206460
公開番号（公開出願番号）：特開2002-084045
出願日： 1997年10月17日
公開日（公表日）： 2002年03月22日
要約：

【要約】【目的】窒化物半導体を成長させる基板を改良することによって窒化物半導体素子を長寿命、高効率、高出力とする。【構成】ステップ状にオフアングルしたGaN基板上に、素子構造となる窒化物半導体層が積層することにより、ステップの段差部分に成長させた活性層が量子ドット、量子ワイヤー構造となりやすいため素子の効率が向上する。好ましく活性層はInGaNよりなる井戸層を有するSQW、MQWとするとInの組成不均一により量子ドット、ワイヤーになりやすい。

請求項（抜粋）：

(0001)面を主面とするGaN基板であって、(0001)面からオフ角θが0.01°以上1°以下でオフアングルしたGaN基板上に、少なくともインジウムを含む窒化物半導体層から成る量子井戸構造の活性層を有する素子構造を積層することを特徴とする窒化物半導体素子。

IPC (3件)：

H01S 5/343 610 , H01L 21/205 , H01L 33/00

FI (3件)：

H01S 5/343 610 , H01L 21/205 , H01L 33/00 C

Fターム (32件)：

5F041AA03 , 5F041AA04 , 5F041CA05 , 5F041CA23 , 5F041CA34 , 5F041CA40 , 5F041CA65 , 5F045AA04 , 5F045AB14 , 5F045AB17 , 5F045AD09 , 5F045AD12 , 5F045AD14 , 5F045AF03 , 5F045AF04 , 5F045AF06 , 5F045AF09 , 5F045AF13 , 5F045BB16 , 5F045CA12 , 5F045DA53 , 5F045DA54 , 5F045DA55 , 5F045DA56 , 5F045DA63 , 5F045HA16 , 5F073AA73 , 5F073AA74 , 5F073AA75 , 5F073CA07 , 5F073CB02 , 5F073DA05

引用特許：

審査官引用 (1件)

窒化物半導体素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-285406 出願人：日亜化学工業株式会社

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