特許
J-GLOBAL ID：200903001852028671

窒化物半導体素子

発明者：
長濱 慎一

長濱 慎一 について

, 
中村 修二

中村 修二 について


出願人/特許権者：
日亜化学工業株式会社

日亜化学工業株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-285406
公開番号（公開出願番号）：特開平11-074562
出願日： 1997年10月17日
公開日（公表日）： 1999年03月16日
要約：
【要約】【目的】 窒化物半導体を成長させる基板を改良することによって窒化物半導体素子を長寿命、高効率、高出力とする。【構成】 ステップ状にオフアングルした基板上に、素子構造となる窒化物半導体層が積層することにより、ステップの段差部分に成長させた活性層が量子ドット、量子ワイヤー構造となりやすいため素子の効率が向上する。好ましく活性層はInGaNよりなる井戸層を有するSQW、MQWとするとInの組成不均一により量子ドット、ワイヤーになりやすい。
請求項（抜粋）：
ステップ状にオフアングルした基板上に、素子構造となる窒化物半導体層が積層されてなることを特徴とする窒化物半導体素子。
IPC (5件)：
H01L 33/00 ,  H01L 29/20 ,  H01L 31/04 ,  H01L 31/10 ,  H01S 3/18
FI (5件)：
H01L 33/00 C ,  H01S 3/18 ,  H01L 29/20 ,  H01L 31/04 E ,  H01L 31/10 A
引用特許：
審査官引用 (14件)
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