特許
J-GLOBAL ID：200903002142669160
熱電変換素子及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
山下 穣平
, 志村 博
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-363133
公開番号（公開出願番号）：特開2004-193526
出願日： 2002年12月13日
公開日（公表日）： 2004年07月08日
要約：
【課題】より径の細いナノワイヤ化した熱電物質を形成することで、性能指数を大幅に増加させた新規な構造の熱電物質を従来より高密度に形成した熱電変換材料を提供する。【解決手段】熱電変換材料43は、多孔体45の柱状の細孔46内に熱電物質(半導体材料)47を導入して得られるナノワイヤから成る。多孔体45は、第一の成分(例えば、アルミニウム)41を含み構成される柱状物質が、第一の成分41と共晶を形成し得る第二の成分(例えば、シリコン、ゲルマニウム、あるいはゲルマニウムとシリコンの混合物)44を含み構成される部材中に分散している構造体から、柱状物質を除去して形成されている。ナノワイヤとしての熱電物質47の平均直径は、0.5nm以上15nm未満であり、ナノワイヤの間隔は、5nm以上20nm未満である。【選択図】 図4
請求項（抜粋）：
柱状の部材と該柱状の部材を取り囲む領域を含む構造体を用意する工程、該構造体から該柱状の部材を除去して多孔質体を形成する工程、及び該多孔質体に熱電変換可能な材料を導入する工程を有することを特徴とする熱電変換素子の製造方法。
IPC (3件)：
H01L35/34
, H01L35/16
, H01L35/32
H01L35/34
, H01L35/16
, H01L35/32 A
