特許

J-GLOBAL ID：200903005866588233

半導体光検出装置

発明者： 福田 勝義 ,  重中 圭太郎 ,  中田 文夫 ,  酒井 忠司
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-135222
公開番号（公開出願番号）：特開平8-330558
出願日： 1995年06月01日
公開日（公表日）： 1996年12月13日
要約：

【要約】【目的】感度の高い半導体赤外線検出装置を提供すること。【構成】多孔質シリコン層23と、この多孔質シリコン層23上に設けられたショットキー電極23とからなり、多孔質シリコン層23の下部に空隙部26を有する赤外線入力部1とを備えている。

請求項（抜粋）：

多孔質半導体層からなり、空隙部を有する光入力部と、この光入力部に入力される光により生じる前記多孔質半導体層の温度変化に対応した抵抗変化を検出する検出手段とを具備してなることを特徴とする半導体光検出装置。

IPC (3件)：

H01L 27/14 ,  G01J 1/02 ,  H01L 37/02

FI (3件)：

H01L 27/14 K ,  G01J 1/02 B ,  H01L 37/02

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開昭61-007601
  
• 特開平4-132259
  
• 熱電変換素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-256465   出願人：東海カーボン株式会社
• 特開平3-283579