特許
J-GLOBAL ID：200903002150369663
3次元周期構造体およびその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
杉村 暁秀 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-247181
公開番号（公開出願番号）：特開2001-077345
出願日： 1999年09月01日
公開日（公表日）： 2001年03月23日
要約：
【要約】【課題】 半導体集積回路との整合性が極めて高く、かつ、マイクロメータオーダ以下の微細寸法のパターン層を積層した3次元周期構造体と、その製造方法とを提供する。【解決手段】 2種類の材料AおよびBを積層方向(Y方向)と直交する2次元方向(X方向およびZ方向)の双方で周期的に配置したパターン層11,12,13,14,・・を、2種類の材料AおよびBが積層方向(Y方向)において周期的に配置されるように積層して構成される3次元周期構造体の隣接するパターン層の間に、挿入層(薄層)3を挿入して、パターン層上に順次積層するパターン層を選択成長技術を用いて形成することができるようにした。
請求項（抜粋）：
複数種類の材料を積層方向と直交する2次元方向の双方で周期的に配置したパターン層を、前記複数の材料が積層方向において周期的に配置されるように複数層積層して成る3次元周期構造体であって、隣接するパターン層の間に薄層を挿入して成ることを特徴とする3次元周期構造体。
IPC (2件)：
FI (2件)：
前のページに戻る
