特許

J-GLOBAL ID：200903002153975050

強誘電体不揮発性メモリ

発明者： 鈴木 真之
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 杉浦 正知
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-169266
公開番号（公開出願番号）：特開平8-340087
出願日： 1995年06月12日
公開日（公表日）： 1996年12月24日
要約：

【要約】【目的】 プレーナ型の強誘電体不揮発性メモリを最適構造で実現する。【構成】 Si基板1上にバッファ層であるMgAl2 O4 薄膜2を介して所定形状のBi2 SrTa2 O9 薄膜3を設け、その両側の部分のMgAl2 O4薄膜2上にBi2 SrTa2 O9 薄膜3の側壁に接してSrRuO3 薄膜4、5を設けて強誘電体不揮発性メモリを構成する。Bi2 SrTa2 O9 薄膜3は強誘電体薄膜を構成し、SrRuO3 薄膜4、5は電極を構成する。Bi2 SrTa2 O9 薄膜3およびSrRuO3 薄膜4、5上には保護膜として絶縁キャップ層6を設ける。Si基板1、MgAl2 O4 薄膜2およびBi2 SrTa2 O9薄膜3が相互にほぼ格子整合し、SrRuO3 薄膜4、5がMgAl2 O4 薄膜2とほぼ格子整合するようにそれらの面方位を選ぶ。他の例では、Bi2 SrTa2 O9 薄膜3の代わりに(PbTiO3 )n /(Bi2 O3 )m 超格子を用いる。

請求項（抜粋）：

シリコン基板と、上記シリコン基板上の酸化物からなるバッファ層と、上記バッファ層上のビスマス系層状強誘電体酸化物薄膜と、上記ビスマス系層状強誘電体酸化物薄膜の両側の部分における上記バッファ層上に上記ビスマス系層状強誘電体酸化物薄膜の側壁にそれぞれ接して設けられた第1の導電性酸化物薄膜および第2の導電性酸化物薄膜とを有することを特徴とする強誘電体不揮発性メモリ。

IPC (5件)：

H01L 27/10 451 ,  G11C 11/22 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (3件)：

H01L 27/10 451 ,  G11C 11/22 ,  H01L 29/78 371

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平3-293775
  
• 半導体集積回路用容量素子及び製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-015446   出願人：株式会社日立製作所
• 特開平3-011761
  
• 特開平2-232974