半導体集積回路用容量素子及び製造方法

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鵜沼辰之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-015446
公開番号（公開出願番号）：特開平5-218339
出願日： 1992年01月30日
公開日（公表日）： 1993年08月27日
要約：

【要約】【目的】基板面積に対して大きな容量をもつ半導体集積回路用容量素子を提供する。【構成】基板上にMOSトランジスタを形成後に強誘電体薄膜21を成膜し、次に強誘電体薄膜21を柱状に加工しその側壁部に電極41を形成し、頂部を除去して容量素子を構成する。1方の電極41はトランジスタに接続され、もう1方の電極41はプレート電極51と接続する。上記の成膜を真空中で行うから、電極41と強誘電体21との界面に比誘電率を低下させる電極の酸化物が形成されるのを防止すると共に、縦長であらから容量素子の占める基板上面積の縮小が可能となる。

請求項（抜粋）：

基板の絶縁体上に形成した誘電率が20以上または分極に履歴を有する酸化物絶縁体と、該酸化物絶縁体の双方の側壁に形成した導電材からなる電極とを備えたことを特徴とする半導体集積回路用容量素子。

IPC (3件)：

H01L 27/108 , G11C 11/22 , H01L 27/04

引用特許：

審査官引用 (7件)

特開平3-295270
特開昭61-270079
特開平3-293775

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