特許
J-GLOBAL ID：200903002159821429

メッキ方法及びメッキ装置

発明者：
松田 哲朗

松田 哲朗 について

, 
金子 尚史

金子 尚史 について

, 
奥村 勝弥

奥村 勝弥 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-033234
公開番号（公開出願番号）：特開2000-232078
出願日： 1999年02月10日
公開日（公表日）： 2000年08月22日
要約：
【要約】【課題】ダマシンプロセスに適した溝や孔への優先的なメッキ膜形成を実現する。【解決手段】被処理基板100の導電体層103の表面に、メッキヘッド110が載置されている。メッキヘッド110は、導電体層103上に直接載置され、メッキ液を含むPVA(ポリビニルアルコール)から構成された含浸パッド111と、含浸パッド111上に設置され電源113に接続された含燐銅からなる陽極112とから構成されている。。導電体層103の最外周部に対して均等に8個の針状の陰極接点120を設けている。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に形成された凹凸パターンを有する構造体の表面の少なくとも一部に形成された導電体層に陰極電位を与え、該導電体層に対して陽極と電気的に接触するメッキ液を供給することによって、該導電体層上にメッキ膜を形成するメッキ方法において、前記陽極が接続された前記メッキ液を含む含浸体を前記導電体層の少なくとも一部の領域に接触させることによって、前記メッキ膜を形成することを特徴とするメッキ方法。
IPC (3件)：
H01L 21/288 ,  C25D 7/12 ,  C25D 17/06
FI (3件)：
H01L 21/288 E ,  C25D 7/12 ,  C25D 17/06 C
Fターム (27件)：
4K024AA09 ,  4K024AB01 ,  4K024AB02 ,  4K024AB08 ,  4K024AB15 ,  4K024BA11 ,  4K024BB12 ,  4K024CA03 ,  4K024CA06 ,  4K024CA12 ,  4K024CB06 ,  4K024CB08 ,  4K024CB09 ,  4K024CB17 ,  4K024CB21 ,  4K024CB24 ,  4K024CB26 ,  4K024DB07 ,  4K024FA03 ,  4K024GA16 ,  4M104AA01 ,  4M104BB32 ,  4M104CC01 ,  4M104DD52 ,  4M104FF18 ,  4M104GG16 ,  4M104HH13
引用特許：
審査官引用 (3件)

前のページに戻る

TOP

BOTTOM