特許
J-GLOBAL ID：200903034563479105
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-182635
公開番号（公開出願番号）：特開平11-026394
出願日： 1997年07月08日
公開日（公表日）： 1999年01月29日
要約：
【要約】【課題】メッキ法を用いて基板上に設けた配線溝に空洞を生じることなく膜質の優れた金属膜を埋め込むことができる配線及び電極等の形成方法を提供する。【解決手段】配線溝の内壁を被覆するバリヤメタル上のシードメタルを陰極として用い、あらかじめ沃素被着層を陰極面に形成した後、配線材料となる金属膜のメッキを行えば、前記陰極上に高純度でかつ緻密な金属膜を形成することができる。この方法を用いれば、配線溝に埋め込まれた金属中に空洞を生じないので、空洞にメッキ液が取り込まれ配線の腐食の原因となる恐れがない。また前記よう素被着層の存在により大気放置下における配線の劣化が防止され、信頼性の高い埋め込み金属配線を得ることができる。この方法は断面積の大きい電力用半導体装置の埋め込み金属配線のほか、半導体集積回路の微細配線、コンタクトホールのプラグ、低抵抗なトランジスタの電極の形成等に応用することができる。
請求項（抜粋）：
導電性材料の表面上に電気メッキにより金属膜を形成する工程を含む半導体装置の製造方法において、導電性材料の表面をあらかじめよう素で被覆する前処理を行った後、電気メッキにより前記導電性材料表面上に金属膜を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/28
, C25D 7/12
, H01L 21/3205
H01L 21/28 A
, C25D 7/12
, H01L 21/88 B
