特許
J-GLOBAL ID:200903002162721796

浸炭処理方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 小塩 豊
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-111306
公開番号(公開出願番号):特開2000-303160
出願日: 1999年04月19日
公開日(公表日): 2000年10月31日
要約:
【要約】【課題】 被処理物表面の炭素濃度むらが少なく、ワーク表面におけるセメンタイトの析出を防止することができる浸炭処理方法を提供する。【解決手段】 加熱室内のワークを窒素雰囲気中で所定の浸炭温度まで加熱したのち、加熱室内を0.1Torr以下に減圧した状態で、浸炭用ガスとしての鎖状不飽和炭化水素ガスを加熱室内の圧力が1Torr以上となるまで供給する操作と、0.1Torr以下に真空排気する操作を繰り返すことによって、加熱室内の圧力を変動させながら浸炭させる。
請求項(抜粋):
加熱室内に収納したワークを窒素雰囲気中で所定の浸炭温度まで加熱したのち、加熱室内を減圧すると共に、鎖状不飽和炭化水素ガスを断続的に供給して加熱室内の圧力を変動させながら浸炭させることを特徴とする浸炭処理方法。
Fターム (2件):
4K028AA01 ,  4K028AC08
引用特許:
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (9件)
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