絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：作田康夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-229372
公開番号（公開出願番号）：特開2004-071842
出願日： 2002年08月07日
公開日（公表日）： 2004年03月04日
要約：

【課題】絶縁ゲート型バイポーラトランジスタで、飽和電流に達して前記絶縁ゲート型バイポーラトランジスタが破壊するまでの短絡耐量を改善すると同時に、スイッチングスピードを高速化する。【解決手段】複数の半導体層と、ゲート電極と、エミッタ電極と、コレクタ電極を有する絶縁ゲート型バイポーラトランジスタにおいて、チャネル領域上のゲート絶縁膜を膜厚の異なる膜を少なくとも2種類設けることで、チャネル幅を小さくすると同時に入力容量を低減した構造とする。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

一対の主表面を有する第1導電型の第1の半導体層と、前記第1の半導体層の一方の主表面に接する第2導電型の第2の半導体層と、他方の主表面に露出する複数の第2導電型の第3の半導体層と、前記第3の半導体層内に位置し他方の主表面に露出する複数の第1導電型の第4の半導体層と、第1の半導体層と第4の半導体層とに挟まれた第3の半導体層上にゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極と、第3の半導体層と第4の半導体層との双方に電気的に接続するエミッタ電極と、第2の半導体層と電気的に接続するコレクタ電極を備えた絶縁ゲート型バイポーラトランジスタにおいて、前記ゲート絶縁膜が、長手方向に少なくとも2種類の膜厚を有することを特徴とする絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ。

IPC (2件)：

H01L29/78 , H01L21/336

FI (5件)：

H01L29/78 652K , H01L29/78 652B , H01L29/78 655F , H01L29/78 658D , H01L29/78 658F

引用特許：

審査官引用 (4件)

電力用半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-180948 出願人：株式会社東芝
特開平4-125972
絶縁ゲ-ト型電界効果トランジスタ
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-353801 出願人：新電元工業株式会社

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