InGaAsP四元混晶のエツチング方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：井出直孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-087605
公開番号（公開出願番号）：特開平5-114588
出願日： 1991年03月26日
公開日（公表日）： 1993年05月07日
要約：

【要約】【目的】 InGaAsP 四元混晶を垂直性よくエッチングでき、しかも平滑なエッチング面が得られるようにする。【構成】エタンと水素との混合気体にアルゴンを添加して反応性イオンエッチングを行う。

請求項（抜粋）：

エタンおよび水素を含む雰囲気中でInGaAsP 四元混晶を反応性イオンエッチングする方法において、前記雰囲気にアルゴンを添加することを特徴とするInGaAsP 四元混晶のエッチング方法。

IPC (5件)：

H01L 21/302 , C23C 16/50 , C23F 4/00 , C30B 29/40 , C30B 33/12

引用特許：

審査官引用 (7件)

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