特許
J-GLOBAL ID：200903002170328840
交換結合された反強磁性/強磁性構造による垂直磁気バイアスを有する異常磁気抵抗センサ
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
特許業務法人 日東国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-184574
公開番号（公開出願番号）：特開2006-019728
出願日： 2005年06月24日
公開日（公表日）： 2006年01月19日
要約：
【課題】小さい印加磁場においてセンサの磁気抵抗がより高く、印加磁場への応答がより直線的な、改良型磁場バイアスを備えたEMRセンサを得る。 【解決手段】EMRセンサ110は、EMR活性フィルム130の上部に交換結合された反強磁性/強磁性積層膜構造を有する。積層膜構造内の強磁性層180は垂直磁気異方性を有し、反強磁性層190により交換バイアスされている。積層膜構造は、EMR活性フィルム130の面に対して垂直な磁場181を提供し、EMRセンサ110の磁場応答に対して磁気抵抗をバイアスする。強磁性層180は垂直磁気記録にとって有益な任意の強磁性材料から形成することができ、その異方性軸が著しく面外となるように作成される。反強磁性層190は、Mn合金あるいは絶縁性反強磁性材料で形成される。【選択図】図4
請求項（抜粋）：
半導体基板と、
前記基板上にある異常磁気抵抗(EMR)活性フィルムであって、当該EMR活性フィルムに対して概ね垂直な磁場に応答する非磁性半導体材料を含むEMR活性フィルムと、
前記活性フィルムに接触する導電性シャントと、
前記活性フィルムに接触する一対の電流リードと、
前記活性フィルムに接触する一対の電圧リードと、
前記基板上にある強磁性層であって、その磁気モーメントが当該強磁性層および前記活性フィルムの面に対して概ね垂直に配向されている強磁性層と、
前記強磁性層に接触する反強磁性層であって、前記強磁性層の磁気モーメントが当該反強磁性層によって垂直にバイアスされる反強磁性層と、
を有することを特徴とする異常磁気抵抗(EMR)センサ。
IPC (3件)：
H01L 43/08
, H01F 10/32
, H01L 43/10
H01L43/08 B
, H01L43/08 M
, H01F10/32
, H01L43/10
5E049AA01
, 5E049AA04
, 5E049AB03
, 5E049BA12
, 5E049BA16
, 5E049CB01
, 5E049DB04
