特許

J-GLOBAL ID：200903046310686080

磁気抵抗センサ、磁気抵抗ヘッド、および磁気記録/再生装置

発明者： 林 一彦 ,  大橋 啓之 ,  スチュワート・ソリン ,  タオ・ザオ
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 金田 暢之 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-374464
公開番号（公開出願番号）：特開2002-076471
出願日： 2000年12月08日
公開日（公表日）： 2002年03月15日
要約：

【要約】【課題】 従来のものよりも高い磁気抵抗感度を有する高電子移動度半導体素子を有する磁気抵抗センサ、磁気抵抗ヘッド、および磁気記録/再生装置を提供する。【解決手段】 磁気抵抗センサは、磁気抵抗素子ならびに、磁気抵抗素子の中に磁界を発生し、その結果磁気抵抗素子の中にバイアス磁界を誘起する装置を有し、前記磁気抵抗素子は、高電子移動度半導体ならびに高電子移動度半導体に接続された電極を有する。バイアス磁界を発生し磁気抵抗素子に供給する装置が絶縁物であれば、磁気抵抗素子に直接に接触してもよい。導体であれば、装置と素子の間に絶縁分離層が設けられなければならない。磁気抵抗素子は、代表的なコルビノ・ディスク型あるいはバー型の磁気抵抗素子である。磁気抵抗素子の他の候補は、高電子移動度半導体、高電子移動度半導体内に電流の経路を作る一対の電極、および電流による誘導電圧を検出するための他の一対の電極から成る素子である。

請求項（抜粋）：

磁気抵抗素子ならびに、磁界を発生し前記磁気抵抗素子に供給し、その結果前記素子の中にバイアス磁界を誘起する装置を有し、前記磁気抵抗素子は、高電子移動度半導体ならびに、前記半導体に接続され前記半導体の中に電流の経路を生成する電極を有する磁気抵抗センサ。

IPC (3件)：

H01L 43/08 ,  G01R 33/09 ,  G11B 5/37

FI (4件)：

H01L 43/08 S ,  H01L 43/08 B ,  G11B 5/37 ,  G01R 33/06 R

Fターム (10件)：

2G017AA01 ,  2G017AC01 ,  2G017AC09 ,  2G017AD55 ,  2G017AD61 ,  2G017AD65 ,  5D034BA02 ,  5D034BA05 ,  5D034BA06 ,  5D034CA08

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 磁気抵抗センサの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-306776   出願人：日本電気株式会社
• 磁気抵抗センサ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-351638   出願人：日本電気株式会社
• 垂直記録用磁気ヘッド
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-133837   出願人：日本電気株式会社
• 磁気記録再生装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-341688   出願人：株式会社日立製作所